大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于可控硅测量方法图解单向的问题，于是小编就整理了2个相关介绍可控硅测量方法图解单向的解答，让我们一起看看吧。
单向可控硅怎么测量？
单向可控硅测量好坏方法：
用万用表测可控硅的好坏。用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路。
单向可控硅怎么测量？
单向可控硅测量好坏方法：
用万用表测可控硅的好坏。用电阻x1k档，正、反向测量A、K之间的电阻值，均接近无穷大；用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻，从十几欧姆至百欧姆，功率越大欧姆值越小。正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结，有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的，当A、K之间已呈故障开路状态时，则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小，也难以判别两控制极是否已经短路。
到此，以上就是小编对于可控硅测量方法图解单向的问题就介绍到这了，希望介绍关于可控硅测量方法图解单向的2点解答对大家有用。
