大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于中国可制造几纳米芯片的问题，于是小编就整理了3个相关介绍中国可制造几纳米芯片的解答，让我们一起看看吧。
纯国产的芯片多少纳米？
目前纯国产的芯片是中芯国际的12纳米制程工艺。我国的半导体产业离最先进的半导体还有一段距离，而且芯片加工设备严重依赖进口。当前能够量产的最先进制程工艺是中芯国际12纳米，而台积电和三星都已经开始量产5纳米制程工艺的芯片了
众所周知，全球制造芯片最厉害的当属台积电，目前已经是5nm，使用台积电5nm工艺术的苹果A14就已经发布了。但是对于我国来说，5nm显然是很遥远的存在。
目前我国在相关技术上的掌握其实还远远不够，芯片制造本身需要脚踏实地的试验和研究，虽然理论上不存在问题，但技术和经验往往是决定成功与否的最重要标准。此前中科院发布的相关技术完全可以说是5nm芯片的相关技术，但距离掌握芯片制造的全工业流程还远远不足。必须明确的是，由于起步晚，中国在芯片领域急于赶上，但目前只有180nm技术水平。
从全球半导体的工艺制程来看，28nm以上算是成熟工艺，而14nm及以下都算是先进工艺，而7nm或以下工艺的芯片产能占了全球总产能的90%以上，目前基本上也就只有几款手机芯片才使用5nm工艺。我们知道芯片制造需要数十百种设备、数百种工序，非常复杂。同时，芯片制造遵循短板理论。那是最高技术，取决于最落后的项目，即最短的板。
虽然理由很多，但其实说白了还是时间的问题，Intel从起家都干了多少年了?当时1968年我们在干啥;三星(1978年)和台积电(1987年)入行也相对较早，而当时我们才刚刚从传统产业中挣脱出来，还在艰难地摸索适合中国发展的模式。
从目前的垄断情况看，没有个数年甚至十年以上可能都是做不到的，但中国的科研团队向来耐得住寂寞。在当前国家越发重视科研的大背景下，资金和人员的投入不断加大，对普通人来说可能无法忍受，但对年轻或者年长的科学家们而言，距离研究出结果不过是又一个“十年”而已。
我们在追赶，ASML的EUV4nm制程曝光机设备据说已被允许卖给中国，标志着设备方面我们不再成为关键的研发瓶颈。但长远来看，如果国内现在最先进都是14nm，买了曝光机直接进入4nm制程，随着摩尔定律的突破，可能跳级的结果是带来严重的不适症状，也就是项目难产。因此，首先提到的技术时间积累储备，有长期的学习曲线，这是一条坚硬而困难的山路，我们可能需要很长时间来实现真正的超越。
等到我国不依赖国外的设备、材料，尤其是光刻机，能制造出10nm以内的芯片出来，才是算是真正的崛起，这时候再进行赶超就没那困难了。
从已知的公开消息上看，目前纯国产的芯片应该是28纳米的已经量产了，但是14纳米的还是在测试过程中。
我们很多技术从基础科学的角度来讲是已经具备条件的，但是从实用技术角度来讲，我们还有很大的差距，如果想跨越这个差距没有相当大的投入，去进行投产方面的基础研究，是不可能跨越的。
3纳米芯片我国能生产吗？
是的，中国已经在3纳米芯片的研发和生产方面取得了重大进展。中国的科技公司和研究机构正在投入大量资源和资金来推动3纳米芯片的技术突破和产业化。
中国政府也积极支持芯片产业的发展，提供政策支持和资金扶持。随着技术的不断进步和产业链的完善，中国有望在不久的将来实现3纳米芯片的商业化生产，为国内外市场提供高性能和高可靠性的芯片产品。
目前，我国在芯片制造领域取得了显著进展，但生产3纳米芯片仍然具有挑战性。3纳米芯片的制造需要先进的工艺技术和设备，以及高度精密的制造流程。虽然我国在芯片制造设备和材料方面有所突破，但与国际领先水平相比仍有差距。然而，随着我国在科技创新和产业发展方面的不断努力，相信在不久的将来，我国有望实现3纳米芯片的生产能力。
大陆能造5纳米芯片吗？
不能造，目前在实验室里中国科学家已经可以加工出表面结构尺寸10纳米级别的压印雕版，并用它在硅片表面蚀刻出复杂而精密的结构，加工精度甚至比10纳米级别的光刻机还要高，这样的精度已经可以用来制造一些性能较高的芯片。
到此，以上就是小编对于中国可制造几纳米芯片的问题就介绍到这了，希望介绍关于中国可制造几纳米芯片的3点解答对大家有用。
