大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于stm32低功耗偷偷耗电的问题，于是小编就整理了4个相关介绍stm32低功耗偷偷耗电的解答，让我们一起看看吧。
stm32pvd掉电储存怎么有时候行有时不行？
要有足够的电容。。然后在稳压前级就有个直接检测电源掉电的，一般是用个大电阻降压后直接接个光耦，然后光耦输出，接到STM32同时设置为外部中断，当收到此中断后，STM32就知道外部已经断电，立刻开启写FLASH或外存储器。最好有个效验，以便每次上电，检测上次是否写入正确。如果正确继续，不正确说明上次可能没写完，你在增大电容或是其他方式争取让他写入完成。
请教单片机掉电后，如何快速的保存数据问题？
针对题主的问题，我想应该从以下几个方面入手：
尽量选用内部的flash来存储数据，内部flash的读写速度快，可靠性高。
如果用外置的flash或者是eeprom进行存储，flash一般是spi接口，考虑到电磁干扰，MCU的响应速度等问题，即使是采用MCU的硬件SPI模块进行通信，SPI的clock时钟最高也就1MHz左右，发送1个字节的数据大概需要10us，不考虑擦除flash的时间，存储100个字节的数据，如果考虑可靠性，需要读取验证，大概需要5ms左右的时间。
而eeprom一般采用IIC接口，与SPI接口类似，以高速IIC进行通信，存储100个字节的数据至少需要5ms左右的时候。
FLASH的特点是写数据只能由1改写为0，由0改写为1需要整个page，或者整个sector，或者整个block进行擦除。
以STM32F051为例，一个page为1kByte，一个block为64kByte，擦除一个page大概耗时约20ms，在整个擦除过程中，整个MCU是挂机的，也就是不执行任何操作。而FLASH的写操作比较快，大概1个Byte耗时1us。
需要有掉电检测电路，掉电检测需要通过检测给MCU供电的LDO或者DC-DC的前级电压。
比如MCU通过12V-3.3V的LDO供电，则需要通过检测12V的电压来判断是否断电。
将12V通过电阻分压之后，接入MCU的A/D检测口来判断是否掉电。
MCU供电的LDO或者DC-DC的前级并联足够的电容，以确保电容的供电能保证MCU将数据写入。
可以通过以下的步骤确认电容的大小：
- 评估由掉电时前级电压供电的工作电流大小，MCU一旦检测到掉电，需要切掉耗电大的输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。比如20mA。
- 确认LDO的最低输入电压，比如5.3
- 确认判断掉电的电压，比如10V，确认掉电开始到LDO最低输入电压之间的压差，比如4.7V
- 确认写入所有数据所需要的时间，比如20ms。
- 根据公式计算所需电容的容量，C=IT/U=20mA20mS/4.7V=85uF。可选择100uF的电容。
MCU一旦检测到掉电，需要切掉耗电大的输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。
在正常工作时，事先准备一块存储空间，将其擦除成为0xFF。
检测到掉电之后，可以不需要擦除FLASH内容，可以直接写入数据，可以节省大量的时间。
STM32我想问下我的RTC程序掉电后时间又变为初始值？
你看看STM32固件库自带的例程，那里面是借用了一个BKP寄存器保存一个标志的。每次单片机启动时都读取这个标志并判断是不是预先设定的值：如果不是就初始化RTC并设置时间，再设置标志为预期值；如果是预期值就跳过初始化和时间设置，继续执行后面的程序。因此这样保证每次断电后再启动都是正常运行，你是不是没有这样处理？
请教单片机掉电后，如何快速的保存数据问题？
针对题主的问题，我想应该从以下几个方面入手：
尽量选用内部的flash来存储数据，内部flash的读写速度快，可靠性高。
如果用外置的flash或者是eeprom进行存储，flash一般是spi接口，考虑到电磁干扰，MCU的响应速度等问题，即使是采用MCU的硬件SPI模块进行通信，SPI的clock时钟最高也就1MHz左右，发送1个字节的数据大概需要10us，不考虑擦除flash的时间，存储100个字节的数据，如果考虑可靠性，需要读取验证，大概需要5ms左右的时间。
而eeprom一般采用IIC接口，与SPI接口类似，以高速IIC进行通信，存储100个字节的数据至少需要5ms左右的时候。
FLASH的特点是写数据只能由1改写为0，由0改写为1需要整个page，或者整个sector，或者整个block进行擦除。
以STM32F051为例，一个page为1kByte，一个block为64kByte，擦除一个page大概耗时约20ms，在整个擦除过程中，整个MCU是挂机的，也就是不执行任何操作。而FLASH的写操作比较快，大概1个Byte耗时1us。
需要有掉电检测电路，掉电检测需要通过检测给MCU供电的LDO或者DC-DC的前级电压。
比如MCU通过12V-3.3V的LDO供电，则需要通过检测12V的电压来判断是否断电。
将12V通过电阻分压之后，接入MCU的A/D检测口来判断是否掉电。
MCU供电的LDO或者DC-DC的前级并联足够的电容，以确保电容的供电能保证MCU将数据写入。
可以通过以下的步骤确认电容的大小：
评估由掉电时前级电压供电的工作电流大小，MCU一旦检测到掉电，需要切掉耗电大的输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。比如20mA。
确认LDO的最低输入电压，比如5.3
确认判断掉电的电压，比如10V，确认掉电开始到LDO最低输入电压之间的压差，比如4.7V
确认写入所有数据所需要的时间，比如20ms。
根据公式计算所需电容的容量，C=IT/U=20mA20mS/4.7V=85uF。可选择100uF的电容。
MCU一旦检测到掉电，需要切掉耗电大的输出，比如控制继电器输出的I/O口需要立即断开。
在正常工作时，事先准备一块存储空间，将其擦除成为0xFF。
检测到掉电之后，可以不需要擦除FLASH内容，可以直接写入数据，可以节省大量的时间。
到此，以上就是小编对于stm32低功耗偷偷耗电的问题就介绍到这了，希望介绍关于stm32低功耗偷偷耗电的4点解答对大家有用。
