可控硅充电电路图详解「可控硅充电电路图详解视频」

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于可控硅充电电路图详解的问题，于是小编就整理了3个相关介绍可控硅充电电路图详解的解答，让我们一起看看吧。

BT134可控硅基极，输入多少v来控制它导通？

BT134是双向可控硅，它有T1和T2以及门极，一般耐压是600V

导通需要两个条件，一个是门极触发电流IGT，另一个是门极触发电压VGT，下面是规格书，可以看出门极触发电流IGT最小是5mA、门极触发电压VGT最小是0.7V

因为是双向可控硅，因此它可以分成四个象限，正负电压均可以驱动

同时还有一个问题，就是导通的时候不是一下子导通的，这需要一个过程，可以看得出至少保证2us以上时间才可以，可以看得出开通时间微秒级，时间很短。

双向可控硅因为正负电压管都可以导通，因此在交流调压方面应用很多，特别是调光方面，同时在直流电机也用到，主要是无极调速，其他还有开关方面的作用

BT134是一个通用系列的可控硅，其下有BT134-400E,BT134-600E,BT134-800E等多个型号。用在交流回路中起到开关作用，可以通过单片机控制使其导通/断开。

可控硅BT134的控制电路

因为用在回路中控制强电，而可控硅的门极又要连在被控回路中，所以为了安全和认证考虑，一般会用一颗光耦实现隔离。笔者常用MOC3052可控硅专用光耦来实现隔离，具体的电路图如下所示：

光耦的输入端通过单片机控制，光耦的输出端接在被控回路中。当单片机引脚输出高电平时，光耦导通，门极被接入控制回路中门极电流大于开启电流后可控硅导通。图中MOV2是压敏电阻起到保护作用，图中R12和C5起到抗干扰作用。

关断可控硅的两个条件

当可控硅导通后，即使把门极电压去掉，可控硅仍然处于导通状态，除非回路中的电流小于可控硅的维持电流。所以关断可控硅有两个很重要的条件：

• 将可控硅的门极触发信号移除；
  

• 可控硅回路中的电流要减小到维持电流以下；

要满足以上两个条件才可以将可控硅关断。TO-220封装的可控硅如下图所示：

以上就是这个问题的回答，感谢留言、评论、转发。

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BT134可控硅没有基极，BT134为双向可控硅半导体器件，广泛应用于交流调压，照明等场合。BT134为4A/600Ⅴ。

双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成，工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2， 一个门极G， 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅，需定量掌握其主要参数，对双向可控硅进行适当选用并采取相应措施以达到各参数的要求。

电流的确定： 由于双向可控硅通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示它的额定电流值。由于可控硅的过载能力比一般电磁器件小，因而一般家电中选用可控硅的电流值为实际工作电流值的2~3倍。 同时， 可控硅承受断态重复峰值电压VD R M 和反向重复峰值电压 V R R M 时的峰值电流应小于器件规定的IDRM 和 IRRM。

·通态(峰值)电压 VT M 的选择： 它是可控硅通以规定倍数额定电流时的瞬态峰值压降。为减少可控硅的热损耗，应尽可能选择VT M 小的可控硅。

·电压上升率的抵制： dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的制造工艺决定了 A2 与 G 之间会存在寄生电容。

安装对负载小，或电流持续时间短(小于1 秒钟)的双向可控硅， 可在自由空间工作。 但大部分情况下，需要安装在散热器或散热的支架上，为了减小热阻，可控硅与散热器间要涂上导热硅脂。

如果你要搞个低压直流电源调控，手边又没可控硅，我这里试组接了一个可控硅结构图，告诉你：根据你的需要各选一只硅管，一只锗管，另加一只二极管，就组成一个可控硅。具体连接：1⃣️两管的集电极相连进入电源正极开关，2⃣️硅管的发射极与电源负极之间串一只灯泡，3⃣️硅管的基极与锗管的发射极之间串一只二极管，（有十字箭头的负极接硅管的基极，其作用是阻止反通漏电）、4⃣️锗管的基极与自身的发射极触碰时电泡通电亮，如果关闭电源开关灯熄灭，必须再接通电源后，再触发又再亮。本文答非所问，只是借这个机会，向还属基础级的爱好者分享，朋友们也可以当物理试验搞着玩，这两种管子旧的电路板上有，不花钱废物利用，望高工们谅解！不要笑话！

光控发射接收电路原理？

早期的光控灯控制电路极其简单，连灯泡算进去才四个原元件，只是在包装下，显得特别高大上，让人望而却步，或者看到元件觉有得不认识，无从下手，其实这几个原件非常简单，一只光敏晶体管，一只电阻，一只晶闸管，还有一个灯泡，整个系统连灯泡在内就这四个元件，具体原理我按电路图讲解一下，也很简单。

白天，光敏晶体管 VT 在受光照影响，呈低阻态，晶闸管 v 的控制极电压很低，处于正向关闭状态，灯泡不亮，黑天光线很弱的情况下，晶体管 VT 无光照时，呈现高组状态，晶闸管 v 由关断变为导通，灯泡点亮，这就是神秘的自动控制。

光控发射接收电路是一种利用光电转换原理实现信号传输的电路。在发射端，信号经过调制后被送入光源，通过光纤传输到接收端，光信号经过光电转换器转换为电信号，再经过滤波、放大等处理后得到原始信号。光控发射接收电路的优点是传输距离远、噪声小、抗干扰能力强，适用于高速数据传输、工业自动化控制等领域。

双向可控硅的触发原理图及原理是什么？

• 双向可控硅是两个方向都可以导通的，所以就不区分阳极和阴极和，我们可以命名为T1、T2极，另一个是脚是极，只要在G极注入正向电压就可以让T1和T2极志通了，非常适用于交流电工作的器件的控制
  

• 当然双向可控硅不能直接用单片机驱动，需要设计一个驱动电路，因为使用的是交流电压，为了安全起见，一般会使用光耦进行隔离，下图是一个控制马达的可控硅驱动电路
  

• 如果想要通过双向可控硅控制功率，比如灯光的亮和暗的控制，交流电机的转速快慢控制等，可以通过控制双向可控硅的导通角来实理，我们平常使用的是正弦波形的交流电
  

• 要控制交流电的导通时间，首先要设计一个过零检测电路来判断交流电的零点位置。
  

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到此，以上就是小编对于可控硅充电电路图详解的问题就介绍到这了，希望介绍关于可控硅充电电路图详解的3点解答对大家有用。