大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于半导体 最新的问题，于是小编就整理了2个相关介绍半导体 最新的解答，让我们一起看看吧。
三星半导体正在加速崛起，直逼欧美，中国芯片还有机会么？
中国芯片雨后春笋一般的都冒出来了：但是并不看好这样企业、因为实力参差不齐、人才容易分散、投资分散、看看美韩欧及台湾地区、真正做芯片开发和芯片制造的厂商有几家呢？所以一窝蜂的上芯片产业不一定能够做强，反而会有恶性竞争、最后做烂做臭掉、就像我们的国产汽车和能源车行业、二十几年了还是比较低的档次和印象：所以我们应该好好反思一下，我们怎么真正做大做好芯片产业！
现在的芯片中国机会很多，高科技人均使用已逼进欧美，或超越，再有国家的政策支持，但要打击那些作假的没有上进心，靠保护伞生存的公司，希望大力关照没有家族帮忙，而又贷不到款的新创小公司，以中国体制走出一条特色科技强国，以中国制造而骄傲。
三星半导体崛起和中国芯片有没有机会有什么关系？三星玩三星的，我们搞我们的，虽然是竞争关系，但我们依旧可以有自己的发展，从国际大形势以及我国的市场来看，中国半导体国产化是大势所趋，我们未来必定崛起。
1、三星有的我们也都有：三星半导体的确挺强，有芯片代工业务，有存储芯片业务，也有面板，但是这些领域我们都有对应的国产厂商。
芯片代工我们有中芯，存储芯片有合肥长鑫、长江存储，面板有京东方。虽然这些领域我们还相对较弱，有的和三星有2代的差距（比如芯片代工），有的已经基本同代（比如存储芯片）。国内这些半导体产业始终在进行追赶，随着技术难度提升头部厂商进展有所下降，而我们在拼命追赶下必定能快速缩小差距，直至追平。
2、三星没有的我们也有：三星半导体是挺强，三星也的确是韩国最大的财阀，涉及的领域也众多，但是三星也不是万能的，和我们整个国家的工业化分类比起来更不值一提。因此，半导体产业中有些我们拥有的产业，三星是没有的。
比如光刻机体系，我们国内目前基本拥有了完整的光刻机研发体系，上海微电子可以制造光刻机，也有量产机型，而后续28nm节点的光刻机也将问世，很多光刻机的核心子系统全球也就我们，以及日本、荷兰所掌握。
而三星在这块就是空白！剩下，原材料这块三星也一样不行，之前日本制裁韩国，半导体原材料一掐断就玩完，只能求助于我们，买我们的原材料。半导体材料虽然我们不如日本，但至少我们也还有。
这也意味着，我国的半导体产业拥有更完整的产业链，上下游都有对应的厂商参与，可以形成完整的闭环。
3、国际形势推动我们自主发展：目前美国对华为以及其他大量我国企业的打压我想大家也都看到了，美国就是想靠着垄断技术优势来阻碍我们的发展，这也就让国内产业再次看清楚，靠买买买是不行的，只有掌握核心技术才能真正摆脱外来的限制。
因此，最近2年国家不断给半导体产业做扶持，给优惠政策，给资金投入，包括部分院校已经在大力培养对口的人才。以上这些措施，保证了未来5-10年内我国半导体产业将会有很大的发展，或许还不能解决所有核心问题，但是成熟制程建立起纯国产的生产线应该不能问题。
假以时日，我们的半导体产业未来就能追赶上全球先进水平，乃至超越传统的强国。
4、我国半导体市场庞大：国内半导体产业市场需求量非常庞大，没记错的话近期的数据统计表明，2020年我国芯片进口总额为3800亿美元，约占国内进口总额的18％，这个比例可以说相当的庞大。
如果庞大的市场需求，合理地规划和引导，完全可以来推动我国芯片产业的国产化，国内半导体产业厂商也完全可以吃饱。
综合来说，我国的芯片产业链相对完整，只要能掌握核心技术，我们就能做到自给自足，用纯国产芯片生产线就给制造出足够多的芯片来供给国内厂商使用。有市场有需求，也有产业链，现在唯一只缺高端的核心技术，你说我们芯片产业怎么可能没机会。
感谢阅读，给点个赞鼓励下呗，欢迎关注【Lscssh科技官】，谢谢~~
感谢您的阅读！
三星半导体正在不断的崛起，直逼欧美，那么，中国芯片还有机会吗？
很多人认为我国的芯片，就是芯痛！我国在芯片发展中确实没有像西方国家那么有优势，而且像三星它还推出了猎户座处理器，虽然说和高通以及苹果处理器仍然存在一定的差异，但是依然是顶级的处理器。
我国的麒麟处理器因为受到美国实体清单的影响，甚至于华为将荣耀进行了出售，让华为目前没有了荣耀的支撑，反而在手手机的整体销量上进行了下降。
三星半导体不断确实在优势上很明显，不过在我们看来，三星在半导体方面的不断加大，比如它连续三年不断的扩大生产，将因特尔赶出了存储器市场， 可以说在这方面三星确实拥有着几乎垄断全球存储器的优势。
但是在2020年三星前任会长的离世，其实对于三星半导体的发展还是非常的大的，虽然翻新在半导体上确实花费了更长的时间，而且它也拥有更强的技术支撑，但是我并不认为三星能够和欧美在芯片方面进行媲美。
另外我国芯片的发展也在不断的加速，虽然说麒麟处理器受到了美国实体清单的影响，但是我们相信依然不能打破麒麟处理器的优势。同样包括我国的紫光展锐，以及中科院等等都在不断的研发我国的芯片。
所以，这是一段时间的过程，也是一段我们自主自强的过程。
为什么原来说7nm是半导体工艺的极限，但现在又被突破了？
本人从事的就是半导体器件行业，我想表达一下我的看法，欢迎大家留言讨论哟
言归正传，从题目来看我想纠正一下概念，在半导体产业类似于14nm,10nm,7nm等属于半导体制程，而半导体工艺一般指类似于FINFIT的半导体工艺，具体工艺路线划分见下图。
理清了概念接下来就目前制程及未来发展情况进行探讨。
1.摩尔定律是否仍然适用？
当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18~24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这就是摩尔定律的大概内容。
单位面积内晶体管数量翻倍并不意味着制程就要缩小一半，缩小一半的话单位面积晶体管数量就翻了4倍，所以如果要保证两倍的成长，那么整代升级应该乘以0.7。所以从14nm到10nm，以及后面从10nm到7nm，都是遵循了摩尔定律的整代升级。
正常来说制程升级应该是45nm—32nm—22nm—14nm—10nm，也就是经典的Tick Tock，著名大厂intel采取的就是此类路线。
综上从理论上来说摩尔定律仍适用于之后的5nm,3nm。
2.为何7nm让intel迟迟推迟？
我们在这不谈台积电的7nm量产是因为台积电主要代工手机cpu,手机和电脑在cpu端是不同的难度也远远不同。只有当intel大规模量产7nm才算正真的解决了这方面问题。
目前7你nm存在的困难有几点1.光刻机的限制 2.晶体管架构 3.沟道材料
首先光刻机在ASML最新的EUV技术下解决了，但数量少不够大家分的，其次是工艺，现在采用的都是FinFET，它的全称是“鳍式场效晶体管”，简单说来就是讲栅极之间的绝缘层加高，来增强绝缘效果减少漏电现象。说起来简单其实困难还是不少的，最后是材料
在进入7nm工艺时，半导体中连接PN结的沟道材料也必须要作改变。由于硅的电子迁移率为1500c㎡/Vs，而锗可达3900c㎡/Vs，同时硅器件的运行电压是0.75~0.8V，而锗器件仅为0.5V，因而锗被认为是MOSFET晶体管的首选材料，但是近来，III-V族材料开始受到厂商的更多关注。III-V族化合物半导体拥有更大的能隙和更高的电子迁移率，可以让芯片承受更高的温度并运行在更高的频率上。且现有硅半导体工艺中的很多技术都可以应用到III-V族材料半导体上，因此III-V族材料也被视为取代硅的理想材料。
所以以目前intel在电脑端的占有率想用新制程取代旧的需要极大的数量和稳定性，目前不足的设备和有待改进的技术使得intel不急于使用最新制程。
从上图看Intel的10nm晶体管达到了100.8MTr/mm²全面胜过台积电和三星的10nm制程，甚至比台积电和GF的第一批7nm DUV都要更好。
3.未来发展
从目前7nm就遇到的阻力看下一代5nm会遇到更多问题，首先就是结构上的优化。
上图是IBM联盟展示了沿着从源级（source）到漏级（drain）方向90度切开的晶体管横截面，可以看到FinFET工艺上Channel是直立的，就如同鳍片的造型，将这些鳍片90度放到后，就变成了Nanowire的形状。这也是IBM提出的将FinFET 90度放倒”的扁平堆栈化结构。这也为下一代结构提供了一定的思路。
总结：随着摩尔定律逐渐逼近极限，随着而来的问题需要工程师甚至科学家一起推动解决，半导体产业作为现代科技的一颗明珠，我希望各个厂商能协同共进推动未来更好发展。
到此，以上就是小编对于半导体 最新的问题就介绍到这了，希望介绍关于半导体 最新的2点解答对大家有用。
