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stm32开漏输出时，mos管的导通压降是多少？
STM32单片机的GPIO口的内部结构是由PMOS和NMOS背靠背构成的，将两个MOS管的漏极D引出，并和两个上下拉电阻连接在一起，可配置。其内部结构如下图所示。
单片机引脚配置为开漏极(OD)输出时，上下拉电阻都是断开的，输出的高电平并无驱动能力，MOS的压降取决于内部所使用的MOS管。这里分NOMS和PMOS两种情况来讨论一下。
NMOS推算导通压降
和晶体管不同，MOS管在规格书中不会写导通压降这个参数，而是写Rds(on)这个参数，即导通时DS之间的导通电阻，这个电阻非常小只有几个mΩ，以英飞凌的IRLR8726PbF为例，其导通内阻Rds(on)如下表所示。
表中表明，在25℃、ID电流为25A时，内阻典型值为4mΩ，由此可以推断出其压降大约为100mV；而在ID电流为20A时，内阻典型值为5.8mΩ，由此可以推断出其压降大约为116mV。
PMOS推断导通压降
以AOS的AO4419作为例子，在ID电流为9.7A时，其典型内阻值为16.5mΩ，由此可以推断出其压降大约为160mV。
一般来说，PMOS的内阻会大于NMOS的内阻，工艺也比NMOS复杂，同参数价格也稍高，这也是NMOS用的比PMOS多的原因。
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