大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于单片机的驱动电路的问题,于是小编就整理了1个相关介绍单片机的驱动电路的解答,让我们一起看看吧。
为什么有些mos管要用三极管驱动,单片机IO不能直接驱动吗?
单片机的GPIO口可以直接驱动三极管没有问题,对于很多MOS管却不能直接驱动,需要通过三极管或者光耦来转化一下,这是为什么呢?
单片机的常用工作电压一般为5V或者3.3V,不会超过5V,对于功率较大的MOS管可能无法满足导通条件,因为MOS管是电压驱动型的,而三极管是电流驱动型的,对驱动电压要求不高。
1 单片机为什么可以直接驱动三极管
三极管是流控型器件,具有三个工作状态,分别为截止区、放大区和饱和区。用作电子开关时需要工作在截止区和饱和区。以NPN三极管为例,三极管饱和导通时,基极和发射极之间的压差大约为0.7V,所以只要基极端的电压高于0.7V,三极管就能导通,而单片机在输出高电平时至少可达3.3V,所以单片机可以直接驱动三极管。单片机驱动三极管的电路如下图所示。
2 单片机为什么无法直接驱动MOS管
对于很多小功率的MOS管,单片机是可以直接驱动的,因为其开启电压Vth要求不是很高,但是对于大多数的MOS管,其开启电压在2.5-4.5V之间,甚至更高,单片机直接驱动可能会出现问题,所以就需要通过三极管来转换一下。下图就是单片机通过单片机来驱动MOS管的例子。
上图中,如果负载端的电流较大,选用的MOS管Vth可能较大,多数MOS管的VGS在±20V范围内,Vth在(2.5-5)V之间,如果是3.3V的单片机可能导致MOS管不能正常工作。这是就通过三极管来间接驱动。
单片机输出高电平时,三极管导通,集电极时低电平那么MOS管截止;当单片机输出低电平时,三极管截止集电极是高电平,MOS管导通。也可以在三极管的G和S极之间加一个稳压管。
除了三极管之外,单片机也可以通过光耦来驱动MOS管,在有些场合光耦驱动MOS管更为合适。用三极管,还是用光耦,还是用单片机直接驱动需要根据实际的电路参数来确定。
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有些MOS管需要用三极管驱动,而不是直接用单片机的I/O口驱动,这是因为单片机的工作电压一般在5V以下,其I/O口输出的驱动电压的幅度较小(不会大于单片机的供电电压),而MOS管是一种电压驱动器件,要想使其充分饱和导通,一般需要较高的驱动电压,故不能直接用单片机I/O口驱动MOS管。为了使MOS管能够充分饱和导通,一般采用下图所示电路。
有不少型号的单片机工作电压较低,譬如STM8L151单片机的工作电压范围为1.8~3.6V,C8051F330的工作电压为2.7~3.6V,它们一般都采用3.3V的稳压电源供电,这样其I/O口输出电压的幅度一般≤3.3V。
而像IRF840(其外形封装见上图)这类阈值电压较高的大功率MOS管,其栅源两极之间的驱动电压一般要≥10V,才能使其充分饱和导通,显然用上述工作电压为3.3V的单片机输出的信号直接驱动这类MOS管根本无法使其导通。
为了能使MOS管充分饱和导通,一般先将单片机I/O口输出的信号经双极型三极管放大,然后再驱动MOS管。
图1电路中,STM8L151单片机I/O口若输出为高电平时,VT1导通(一般只要该高电平信号的幅度稍大于0.7V,即可使其导通),VT2栅极为低电平,处于截止状态,负载RL不工作。当STM8L151的I/O口输出为低电平时,VT1截止,VT2栅极电压几乎等于电源电压12V(VT1截止时,R2两端的压降几乎为零),这样便可以使VT2获得足够幅度的电压而充分饱和导通了。
顺便说一下,现在有不少贴片功率MOS管(譬如SI2301)的阈值电压较低,有的在5V左右的电压下即可饱和导通,不过这类管子的漏极电流只有几安,无法驱动工作电流更大的负载。
这个问题其实就是驱动电路的驱动能力问题。驱动方面,关注它的动态特性,也就是开关特性;还有它的静态特性,就是稳态电平。从静态和动态方面出发,驱动有以下几点需要特别注意:
其一,稳态电平幅值,你得看一下你使用的开关管,比如mosfet,你设计流过它的电流Id是多少,因为像mosfet这类电压型的开关器件,门极电压Vgs和通过主体漏极电流Id是跨导(g)关系,这个跨导就像咱们三极管的电流放大倍数一个道理,所以首先满足Id=Vgsg也就是你的电平,这里还要注意你的有效Vgs,它是你的实际电平减去这类管子的开通阈值(开通阈值或门槛电压用Vth表示,有效电平=实际电平—Vth);
其二,动态峰值电流能力,驱动芯片必须要满足给门极充电的能力,尤其是瞬态的峰值电流,Ipeak=门极电平/驱动电阻,如果你的单片机没有这个峰值电流能力,那么我们知道,瞬态大电流和单片机驱动口内阻乘积就是电压,这就是驱动能力不足,导致门极充放电变慢,开关速度异常,还有就是你的单片机会发热;
其三,开关管驱动功率消耗,我们知道理想的电压型开关并不需要驱动功率,但是实际当中,像mosfet存在门极电容(Cgs)和米勒电容(Cgd或Crss),这些电容通过驱动电阻充放电都是要消耗功率的,所以你的单片机还得需要一定的驱动功率能力才行,驱动功率P=驱动电压工作频率电容的电荷量(这里包括了门极电容和米勒电容总电荷,通常在数据手册里成为Qg),驱动功率意味着驱动芯片,像单片机会产生功耗,也就是发热的问题。
单片机可以驱动,后面加三极管推挽的作用就是满足稳态电平和动态驱动能力的要求。
你用单片机直接驱动未尝不可,但只需要满足以上静态和动态的需求即可。
到此,以上就是小编对于单片机的驱动电路的问题就介绍到这了,希望介绍关于单片机的驱动电路的1点解答对大家有用。