可控硅调压电路原理？
原理如下
可控硅调压的原理是当外加反向电压时（vce=0）其正向导通，此时导通电阻很小；而正向偏置电压超过某一数值时（vce=vc），它的集电极与发射极之间的压差增大使电流剧增，称为该材料的击穿现象。利用这一原理制成的可控硅调压器可方便地实现自动控制、调节和远距离测量等功能。
可控硅怎么用来制作调压控制器？
可控硅可以直接用来作为调压器，调压可以分为半波调压和全波调压，原理如下：
1、在要求不高的场合可以使用最简单的调压电路：将两个单向晶闸管正反向并联，将两个控制极之间串联一个可调电阻，调节地调电阻的阻值输出电压随之改变。
2、使用双向可控硅，在触发极施加移相脉冲信号，控制可控硅导通角，实现交流调压。
3、用一个与交流电源同步的脉冲触发电路，使发出脉冲的导通脚从0度到180度变化，即可调节交流输出的电压。
4、最简单的触发电路可用单节晶体管来实现，采用全波整流电路作为同步电源作为单晶晶体管的电源。单结晶体管与电阻和电容组成一个脉冲发生器电路，每当交流电源过零后该电路开始工作，电源通过电阻给电容充电，知道单结晶体管导通而发出脉冲触发主回路输出电压。
5、调节充电电阻可以调节充电时间，充电越快发出脉冲越早，导通角度越小，输出电压越高。将电阻用电位器代替，或串联一个电位器，调节电位器的阻值即可得到连续可调的交流电压。
