一则好消息传来，中国将量产12纳米芯片，何时突破5纳米？
量产12纳米是指中芯国际吧，下一步n+2工艺突破7纳米，但是5纳米就不知道什么时候了。在美国干预下拿不到阿斯麦的EuⅤ极紫外光刻机，除非中国自已造出极紫外光刻机才能生产出5nm芯片，然而，目前中国能造的最先进光刻机是上海微电子的28nm光刻机，而且还没正式出厂，本来说去年年底出来，又推迟到今年了，一季度还是年底？沒消息！而台积电就要出3nm的了。
也许再过一段时间我们就不需要什么纳米不纳米的了，华为光计算芯片忽然来了，运算速度比5nm硅芯片还快100倍，这个一鸣惊人真有可能，2月5日华为发布了一个光计算芯片专利，虽然这个专利是用于物联网的，但是，既然有用于物联网计算能力，那么用于手机就很有可能。必竟华为己经不是第一次惊到人，我们己经习惯了华为的惊人！到时候衡量芯片的只有运算性能的指标，什么纳米不纳米的将成为过去式，过时式，落后式！这个要真出现了，你说打脸不打脸？解气不解气？哎！人被欺压的狠了，有时候会产生想象的情景！
也许过段时间，我国冰刻技术成熟了，连光刻胶也不需要了，也省去清洗工艺环节，生产出的芯片性能不落后于5nm，到时候阿斯麦把EuV送上门我们也不要了！
至于石墨烯芯片和彭炼茅的碳晶圆芯片，虽然我国处于领先地位，还是先不想了，有点遥远。
回答这个问题前心里在说“苦了，中国的科技人，向你们致敬！”。芯片制造，是精密器械最高技能，中国以一国之力与世界竞技，赢了，无尚荣光；追不上，其实也不算耻辱。硅质芯片，制程总有极限，以中国的财力人力追到极值只是时间问题，二十年内中国应可与世界第一争高低。
是个好消息，12nm芯片制造能这么快就达到量产要求说明工艺基本达标了。国内绝大部分芯片生产就不再受人控制了。如此看来，突破5nm芯片制造技术，2025年就能实现，更是对十四五计划目标实现的保障。
“话匣子”的老习惯，先给答案，后说理由。
突破12纳米芯片与5纳米芯片没有任何关系，也就是说，是否突破12纳米不影响突破5纳米芯片的时间表。至于什么时候突破5纳米？那就要看中国什么时候可以得到EUV光刻机了。
从制程范围来看，DUV光刻机基本上只能做到25nm，但Intel凭借双工作台的模式做到了10nm，但是却无法达到10nm以下。其实在EUV光刻机研制出来之前，台积电和三星也是用DUV光刻机来制造14纳米芯片。只有EUV光刻机能满足10nm以下的晶圆制造，并且还可以向5nm、3nm继续延伸。现在台积电和三星的5纳米芯片，正是用EUV光刻机来制造的。
上面这句话证明，中国的这个量产12纳米芯片，也是一种DUV光刻机的极端应用罢了，理论上这种制作方法的极限是10纳米，所以还有研发的余量哦，加油！但无论如何，如果无法获得EUV光刻机，7纳米、5纳米……那是真的没办法制造出来。
目前，EUV光刻机只有荷兰ASML能够生产，全球只此一家！中国想要生产5纳米芯片，就只能向ASML去购买EUV光刻机。但问题是，现在连Intel都买不到，被制裁的中国就更别想买到了。没有EUV光刻机，那就真没办法实现5纳米芯片了。至此，合适突破5纳米这个问题，就变成了合适中国能买到EUV光刻机的问题了。理论上，还是有机会买到EUV光刻机的，但时间就不知道了。
有人会说，我们自己研发出光刻机呀！但问题是，中国现在连DUV光刻机还没研发出来呢，就这个DUV光刻机也只有荷兰ASML和日本佳能和尼康可以生产。如果去等中国自己的EUV光刻机，那真要说“不知道”了，因为是真不知道啊！
欲速则不达。
5纳米芯片要搞但不是急需的。
先将12纳米芯片打通产业链形成规模优势是急需要的。
我们的工作总基调是稳中求进。
不要急功近利与外国攀比会起反作用。
过于追求现代化会造成工业空心化。
中高端技术水平最适合中国国情。
