大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于mos场效应管型号参数大全的问题，于是小编就整理了3个相关介绍mos场效应管型号参数大全的解答，让我们一起看看吧。
20n03场效应管参数？
20n03场效应管 采用的是一块6.53英寸的lcd屏幕，前置采用的是双挖孔的摄像头材质，支持144赫兹的屏幕高刷以及240赫兹的屏幕触控采样率，内置5000毫安电池，支持30w的快速充电以及30w的无线充电，支持立体声双扬声器以及红外遥控功能。
20N03DA 参数：30V 20A TO-252/SOT-89， N沟道 ，MOS/场效应管
型号：20N03
VDS: 30V
IDS: 20A
封装：TO-252/SOT-89
沟道：N沟道
12n65c场效应管参数？
12n65c场效应管是N沟道增强型高压功率MOS场效应管，广泛适用于各类开关电源。
12n65c场效应管参数：
PD最大耗散功率：225W。
ID最大漏源电流：12A。
V(BR)DSS漏源击穿电压：600V。
RDS(ON)Ω内阻：0.85Ω。
VRDS(ON)ld通态电流：6A。
VRDS(ON)栅极电压：10V。
VGS(th)V开启电压：2~4V。
VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA。
rfz44场效应管参数？
晶体管类型：MOSFET
漏极电流，Id最大值：49A
电压，Vds最大：55V
开态电阻，Rds（on）：0.024ohm
电压，Vgs最高：21V
功耗：83W
封装类型：TO-220AB
针脚数：3
器件标记：IRFZ44NPBF
引脚节距：2.54mm
满功率温度:25°C
热阻，结至外壳A：1.8°C /W
电流，Id连续：41A
电流，Idm脉冲：160A
表面安装器件：通孔安装
针脚格式：1 g
阈值电压，Vgs th典型值：4V
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