大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于mos开关电源电路图的问题，于是小编就整理了5个相关介绍mos开关电源电路图的解答，让我们一起看看吧。
请问小功率无刷直流电机启动时MOS烧坏可能是什么原因？
根据提问者的描述，小功率无刷直流电机启动时MOS管被烧坏，可能是什么原因呢？
若能够提供详细电路图及各元器件的型号（比如MOS管型号等）更好，由于没电路图，下面对这部分设计MOS管烧坏常见的可能性故障进行分析，提问者自己核对一下是否有相应的问题。
1、电路图中是否有续流二极管？因为电机属于感性负载，其内部具有线圈，当MOS管关断瞬间，很大的反向电动势，与原电源电压叠加产生高压，从而击穿管子。增加该二极管是使线圈与二极管能够形成回路，给反向电动势续流，从而保护MOS管等控制器件，如下图D1为电机续流二极管。
2、MOS管的选型是否合理？①电机驱动瞬间电流比稳定运行时电流（额定电流）要大5~8倍左右，因此MOS管的最大漏极电流应选择电机额定电流10倍以上，比如额定功率为0.5A的电机，MOS管最大漏极电流应选择5A以上，尽量选择内阻小的MOS管，其内阻越小越好（头条@技术闲聊）。内阻小，压降小，管子功耗小，其发热量就小。②MOS管的最大工作电压是否满足要求？选取管子的工作电压应比电机工作电压大一倍，比如24V的电机，MOS管最大工作电压应选择48V以上。
3、MOS管的驱动电压是否符合要求？虽然MOS管导通驱动电压3V~10V左右，但是VGS电压一般6V~10V管子才能达到饱和！若只用3.3V电压驱动，虽然MOS管能够导通，但是内阻较大，并没有达到饱和状态。导致管子内耗大，发热量大而烧坏！如下图为小功率MOS管2N7002驱动电压VGS与漏极电流ID曲线图，可以看出VGS＞2V就开始有电流，管子导通，但是电压高达5.5V左右管子才饱和！
4、MOS管控制端栅极串联电阻是否过大？虽然MOS管属于电压控制型器件，但是该电阻不能省，串联该电阻起到隔离保护作用（如上图R1）。若该电阻太大，因为MOS管会有结电容，管子太大充电速度慢，管子很长时间达不到饱和开通状态，从而过热烧毁！该电阻阻值一般10k以内即可。
若为正反转控制电机驱动电路，如下图4个二极管不能省，这4个二极管属于电机线圈续流二极管，用于保护控制电路，若控制管使用的是MOS管，其内部一般会有寄生二极管，不需要外接。
感谢阅读！如果觉得还可以别忘了点个赞哦！若还有什么不明白的地方请评论区下方留言，若想了解更多相关知识，请关注本头条号，会持续更新内容，谢谢支持！
mos管为什么有体二极管？
MOS管它是单方向截至的，NMOS关闭后，D极到S极关断，但是S极到D极是关不断的，从我们画原理图时，可以从MOS原理图模型里面看到DS之间有一个二极管，S极通过二极管导通到D极。如果我们要做到双方向截止，就需要用两个MOS管背靠着背，每个MOS管负责关断一边。
Nmos有个P型的衬底，D极是P型衬底上做的N型反型区，这样就简单的形成了一个PN结，如果从沉底B极加一个电压，那么电流会顺着这个PN结流入D极。
一般情况下，单体的MOS管B极是不独自引出来的，通过把它接到S极上，也就是和S极短路，那么自然而然这个PN结就相当于是S极到D极了。
同理Pmos也是一样，Pmos是在N型衬底上反型出两块P型半导体的区域地盘。衬底B与漏极D之间同样有这个PN结，P端在D极，N端在B极。当把B极连接在S极上时，就出现了从DS之间的二极管了。
电子科普，降压、升压、LDO，我们如何去选合适的电源？
题目所描述的降压、升压、LDO这些内容是在设计电源电路时所要面对的问题，一般来说最终的目标电源为5V或者3.3V等，所以针对不同的输入电压，需要选择不同的电源芯片，下面简单分析一下。
如何选择升压电源芯片
所谓升压就是指输出电压要高于输入电压的情况，其一般的为Boost拓扑结构，在选型时需要考虑这几个方面：1)输入电压范围；2)输出电压；3)输出电流；4)封装形式；5)转化效率等。以XL6019为例，其输入电压范围为5-40V，最高输出电压为60V，最大可提供5A的输出电流，转化效率可达95%，封装为TO263-5L。
其输出电压的计算公式为：Vo=1.25×(1+R2/R1)。所以只需要调节R2/R1的比值即可实现不同电压的输出。
如何选择降压电源芯片
所谓降压电路就是输出电压低于输入电压，这种电路的拓扑结构为Buck型，对于DC/DC而言，是通过MOS管不同的导通/关断，再配合外接的电感、电容、二极管来实现电压的转换、滤波等，从而使用户得到满足条件的电压。其选型所考虑的方面依然包括1)输入电压范围；2)输出电压；3)输出电流；4)封装形式；5)转化效率等，下面是LM2596可调输出的基本原理图。
如何选择LDO电源芯片
所谓LDO，是指线性低压差稳压器，其也属于DC/DC的范畴，但是与前述的DC/DC降压芯片存在区别。LDO要求输入和输出要有一定的压差才能工作，一般输入要比输出高出至少1.5-3V才可以。LDO的外设电路与DC/DC相比，比较简单，所需器件比较少，只需要几个电容就可以，而且输出稳定，纹波小，噪声小，缺点就是转化效率相对较低，典型的代表就是AMS1117-5，以及AMS1117-3.3等芯片。
总之，在选择电源解决方案时，需要考虑输入电压范围、输出电压、输出电流、封装等关键参数。
以上就是这个问题的回答，感谢留言、评论、转发。更多精彩内容请关注本头条号：玩转嵌入式。感谢大家。
nmos是低电平导通吗？
NMOS是栅极高电平导通，低电平断开，可用来控制与地之间的导通。
由于NMOS其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分用到的是NMOS。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。寄生二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
agbt电路是什么？
IGBT电路,就是IGBT及其周边的元器件组成的电路。例如逆变焊机、UPS、电磁炉、稳压电源等。
绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
到此，以上就是小编对于mos开关电源电路图的问题就介绍到这了，希望介绍关于mos开关电源电路图的5点解答对大家有用。
