大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于大功率mos管驱动模块电路图的问题，于是小编就整理了3个相关介绍大功率mos管驱动模块电路图的解答，让我们一起看看吧。
MOS管失效的原因有哪些？怎样预防其失效？
MOS管是很常用的压控型器件，在电力电子、BLDC、光伏等行业应用广泛，MOS管在使用时要注意选型，选型不合适容易损坏，一般来说，有如下几个原因容易使MOS管损坏。
D,S两端电压过大
MOS管的漏极D和源极S之间有一个耐压范围，在选型时Vds的耐压一定要大于正常工作时的电压，如果两端电压过大，则MOS管会被击穿，这种失效方式叫做雪崩击穿。
如何预防
选型时要给VDS留够余量，比如系统中DS两端的电压最大是48V，则最好选择耐压为60V或者更高的管子。
D,S流过电流过大
Ids是流过漏极D和源极S的电流，MOS管的通过电流有明确的要求，过流后MOS管会把烧坏，在选型时要严格注意。
如何预防
正确估算流过DS的电流，比如系统中流过DS的最大电流是10A，则应选择15A或者更大的MOS管，也可以在回路中串入保险丝用来保护MOS管。
栅极电压过大
MOS管的控制端是栅极，用G表示，在MOS的规格书上，VGS的电压范围也写的很清楚，如果VGS超过规定使用范围，则容易将栅极烧坏，从而导致MOS管不可控。
一般在MOS的GS之间加入一个稳压二极管，当VGS过大时，稳压二极管可以将电压钳制住不至于将MOS管烧坏。
以上就是这个问题的回答，感谢留言、评论、转发。
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失效原因比较多的是击穿，即所谓的电压过大，MOS管承受不了如此高的电压，以至于永久性损坏。
控制电机
MOS管可作为功率开关管，即控制设备的通断，如电机。电机内部等同于是一个线圈，我们可以把它当做一个电感。当电感在正常导通的时候自然不会有什么问题，但问题就怕频繁的开通关断MOS管。当MOS管导通时，压降主要产生在电感上，A端电压高于B端电压，而B端电压几乎接近0V，但当我们在关断MOS的瞬间，由于楞次定律我们知道，电感自身会抑制电流突变，于是此时B端感应出一个超级大的电动势，比电源电压大数倍。这个电压由于无处安放于是会对MOS管造成冲击，如果超出了MOS管的承受范围，会被永久性击穿。
解决方案
为了解决上述情况对MOS管的冲击，一般在电机的两端并联一个二极管，因为他既可以钳位在一个定值，还能放电，如下图所示，关于二极管的具体参数还需要根据电机和MOS管的具体型号来选定。
MOS管符号
MOS管（NMOS）的电路图符号如下图所示，G极是栅极，接控制信号；D极是源极，接电源电压；S极是漏极，电流从这里流向负极（GND）。
极限参数
在我们做设计的时候，最先参考的就是MOS管的数据手册，因为数据手册里面除了告诉我们怎么使用之外，还有关于它的极限参数，如果极限参数我们都不看就去做板子，后果是很危险的，举一个例子吧，我随便在网上找到了一份MOS管的数据手册，找到它的极限参数表，即Absolute Maximum Ratings这一项，一定要看
第一行Drain-Source Voltage告诉我们DS之间的电压不能超过30V
第二行Gate-Source Voltage告诉我们GS之间的电压不能超过20V
第三行Drain Current-Continuous告诉我们流过MOS管的电流不能超过35V
Final
上述介绍的都是最基本的方法，除此之外，每一个行业都有不同的防范守则，比如工业电子就要比消费电子经受更严峻的考验。
igbt和mos怎么区别？
首先一个从外形上面区别：IGBT绝大多数是TO-3P封装，要大一些。MOS管大部分为TO220封装要小一些。（当然不能说绝对）其次如果从元件内部去分析。一般IGBT，里面是内置有一颗快恢复二极管，而MOS管一般没有。所以IGBT一般是有两个晶圆的，MOS只有一个。可以看电路图和参数说明。希望以上可以帮到你。
mos管与igbt管区别？
场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。
IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。
IGBT的电路符号至今并未统一，画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号，这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。
同时还要注意IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不表示一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。
IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。
判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难，可以用万用表测量IGBT的C极和E极，如果IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无穷大，则说明IGBT没有体二极管。
IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
到此，以上就是小编对于大功率mos管驱动模块电路图的问题就介绍到这了，希望介绍关于大功率mos管驱动模块电路图的3点解答对大家有用。
