大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于国产最先进光刻机的问题，于是小编就整理了1个相关介绍国产最先进光刻机的解答，让我们一起看看吧。
国产光刻机能实现多少nm工艺制程？
目前国内华为找的替代对象是中芯国际，目前中芯国际为华为生产的14nm的麒麟710A芯片已经完成交付，但是最近华为向台积电追加的7亿美元的7nm和5nm制程的芯片，目前中芯国际还生产不了，目前国内的造芯技术落后行业保守估计在5年，美国也是吃准了中国目前还造不了最新纳米制程的芯片，才卡华为脖子限制台积电交付华为！然而，目前利好消息就是中央向中芯国际注资200亿，来加快国内芯片的发展生产！造芯是一条艰难无比的道路，但是中国必须要走，这样才不会受制于人！
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国产光刻机能实现多少nm工艺制程？
题主问题的核心是国产光刻机能实现多少nm工艺制程？根据现在来看最高可以生产的时90nm，但是有最新消息爆出来现在已经来到了7nm，当然这可不是中芯国际，说直白一点中芯国际的14nm光刻机其实还是来自于ASML的，所以算不上是真正的国内自研发，而目前国内的企业有很多，但是上海微电子相对来说是走在前列的。
根据网友的爆料显示，上海微电子最高年底可以实现7nm。的
简答一点来说就是上海微电子将于今年（2020年）12月下线首台采用ArF光源的可生产11纳米的SSA800/10W光刻机(单次曝光28nm节点浸没光刻机)，采用NA1.35透镜组，并搭载超精密磁悬浮双工件台和超纯水浸入系统。同时采用华卓精科工作台的套刻精度指标优于1.7纳米。该光刻机有生产7nm制程的潜力（多次曝光）。
- 而且同时贴出SMEE的双工件台曝光系统的操作控制界面。同时还透露长春光机所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光机，预计两年内可推出。
- 这个消息确实低于国人来说兴奋的，从90nm直接来到了7nm而且未来两年的时间EUV工艺可以实现，也就意味着中国的光刻机技术可以和世界顶级的相比了，当然和ASML这样的厂商还有差距，不过我们要知道这是国内自主研发的。
光刻机我们要知道最难的点其实在两个地方，也就是两大核心部件为双工件台和曝光系统。而根据媒体的报道称这些是有清华大学朱煜教授带领的团队在2014年研发出工件台样机。
已经来到了比如掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到MA：2.2nm、MSD:4.7nm，使中国成为第二个掌握此技术的国家。随后依托该技术产业化成立华卓精科向市场推出商用光刻机双工件台产品。
另外在EUV曝光系统方面，长春光机所于2002年研制国内第一套EUV光刻原理装置，于2016年成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统，2017年32nm线宽的13.5nm极紫外光EUV光刻曝光系统通过验收。科益虹源在2018年成功商用的浸没式193nm准分子激光器。
而且依托浙江大学研发团队的启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统。中微半导体也推出用于5nm制程蚀刻机。南大光电研发出193nm光刻胶。华为自研EDA已进行7纳米验证。
总结
之前其实国内针对媒体的提问说针对华为的问题怎么看？国内的相关人士回应说如果国外依然是对于华为制裁，而且没有缘由，那我们将会对于现有的高通，四颗，以及波音和苹果进行限制，其实可见国内对于科技方面的自信，所以基本上上面曝光的信息很大一部分是真实的，国内自主研发的光刻机年底实现7nm，而两年之内提升到了EUV7nm，虽然和ASML有差距，但是对于我们平时使用来说确实已经完全够用，如果真的国外技术全部彻底，我们至少也不用担心再回去到14nm时代了。
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国产光刻机90nm制程工艺，荷兰ASML光刻机7nm制程工艺，按照专家的说法，至少有15年的差距。制程工艺的差距，主要体现了我国和西方发达国家在精密制造领域的差距。
光刻机的格局
目前，光刻机市场几乎被荷兰ASML、日本尼康和佳能、上海微电子四家所垄断。在这里面又分为三个梯队，荷兰ASML垄断了高端光刻机市场份额，日本尼康和佳能处于中端市场，同时竞争低端市场，而上海微电子只有低端市场。
上海微电子（SMEE）成立于2002年，成立之初到荷兰ASML参观见学，被调侃“即使把图纸和元件全部给你们，你们也装配不出来”。上海微电子经过自力更生，硬是打了国外公司的脸，2007年研制成功了90nm制程工艺的光刻机。
世界最先进的光刻机厂商是荷兰的ASML，7nm EUV光刻机只有荷兰ASML能够生产。我国大陆的晶圆代工厂中芯国际，大部分使用的ASML的高端光刻机，已经量产14nm工艺芯片，突破了N+1、N+2工艺，然而后续的先进制程工艺仍然需要EUV光刻机。中芯国际早在2018年就成功预定了EUV光刻机，然而受到各方面因素的阻挠，至今未收货。
差距在哪里？
从2007年，上海微研制成功90nm制程，至今13年过去了，上海微仍然停留在量产90nm制程工艺光刻机，这是为什么呢?
上海微电子与荷兰ASML光刻机领域的差距，反映了我国和西方发达国家在精密制造领域的差距，一台顶级的光刻机，90%的关键零部件来自不同的发达国家，美国的光源和计量设备、德国的镜头、瑞典的轴承、法国的阀件等等，根据所谓的《瓦森纳协定》，这些顶级零部件对我国是禁运的。
上海微电子是一家系统集成商，自己不生产关键零部件，所以做不出22nm以下的高端光刻机，也不是它的责任。消息称，上海微电子已经突破了28nm制程工艺的关键技术，然而受到供应链的影响，量产时间还未确定。
就目前的形势而言，只能做好中低端领域，慢慢培养国内供应链，逐步向中高端光刻机领域发展。
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90nm，中芯国际的14nm是使用的荷兰ASML的光刻机，除了荷兰ASML以外，全世界包括中国美国日本在内，都卡在45nm的节点上！
中国芯片产业链”：
【上游半导体设备】
1、刻蚀机：北方华创、中微公司
2、光刻机：上微集团、华卓清科
3、PVD：北方华创
4、CVD：北方华创、中微公司、沈阳拓荆
5、离子注入：中科信、万业企业
6、炉管设备：北方华创、晶盛机电
7、检测设备：精测电子、华峰测控、长川科技
8、清洗机：北方华创、至纯科技、盛美半导体
9、其他设备：芯源微、大族激光、锐科激光
【上游半导体材料】
1、大硅片：沪硅产业、中环股份
2、靶材：江丰电子、阿石创、隆华科技、有研新材
3、高纯试剂：上海新阳、江化微、晶瑞股份、巨化股份
4、特种气体：雅克科技、华特气体、南大光电
5、抛光材料：安集科技、鼎龙股份
6、光刻胶：南大光电、飞凯材料、容大感光、晶瑞股份
7、其他材料：神工光伏、菲利华、石英股份
【中游代工】华虹半导体、粤芯半导体、华润微电子
【下游封测】长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、深科技
【下游设计】
1、CPU：中科曙光、澜起科技、中国长城
2、GPU：景嘉微
3、FPGA：紫光国微、上海复旦
4、指纹识别：汇顶科技、兆易创新
5、摄像头芯片：韦尔股份、格科微、汇顶科技
6、存储芯片：兆易创新、国科微、北京君正
7、射频芯片：卓胜微、三安光电、紫光展瑞
8、数字芯片：晶晨股份、乐鑫科技、瑞芯微、全志科技
9、模拟芯片：圣邦股份、韦尔股份、汇顶科技、
10、功率芯片：斯达半导、士兰微、捷捷微电、晶丰明源
到此，以上就是小编对于国产最先进光刻机的问题就介绍到这了，希望介绍关于国产最先进光刻机的1点解答对大家有用。
