大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于stm32 电流的问题，于是小编就整理了3个相关介绍stm32 电流的解答，让我们一起看看吧。
stm32的输出是灌电流好，还是用拉电流好？为什么？
单片机的GPIO口设置为输出，用于驱动电路时建议设置为灌电流的方式，尽量避免使用拉电流，下面解释一下原因。
什么是单片机的拉电流
单片机的拉电流，就是由单片机为所驱动的电路提供驱动电流，电流的方向由单片机流向GND，负载工作所需的电流都由单片机来驱动，我们知道单片机GPIO口的驱动能力是有限的，当负载所需要的电流较大或者单片机以拉电流的方式驱动多个负载时，可能由于驱动能力不足而导致单片机发热严重，进而烧坏单片机。所以，不推荐以拉电流的方式驱动电路。拉电流演示电路如下图所示。
什么是单片机的灌电流
所谓单片机的灌电流，就是由VCC提供负载工作时所需要的电流，而电流由VCC流向单片机，电流灌入单片机，所以叫做灌电流。单片机灌电流的好处时，单片机不提供电流，节省了单片机的功耗，避免了拉电流所产生的发热问题。灌电流演示电路如下图所示。
在设计单片机电路时应注意积累这样的经验。
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stm32开漏输出时，mos管的导通压降是多少？
STM32单片机的GPIO口的内部结构是由PMOS和NMOS背靠背构成的，将两个MOS管的漏极D引出，并和两个上下拉电阻连接在一起，可配置。其内部结构如下图所示。
单片机引脚配置为开漏极(OD)输出时，上下拉电阻都是断开的，输出的高电平并无驱动能力，MOS的压降取决于内部所使用的MOS管。这里分NOMS和PMOS两种情况来讨论一下。
NMOS推算导通压降
和晶体管不同，MOS管在规格书中不会写导通压降这个参数，而是写Rds(on)这个参数，即导通时DS之间的导通电阻，这个电阻非常小只有几个mΩ，以英飞凌的IRLR8726PbF为例，其导通内阻Rds(on)如下表所示。
表中表明，在25℃、ID电流为25A时，内阻典型值为4mΩ，由此可以推断出其压降大约为100mV；而在ID电流为20A时，内阻典型值为5.8mΩ，由此可以推断出其压降大约为116mV。
PMOS推断导通压降
以AOS的AO4419作为例子，在ID电流为9.7A时，其典型内阻值为16.5mΩ，由此可以推断出其压降大约为160mV。
一般来说，PMOS的内阻会大于NMOS的内阻，工艺也比NMOS复杂，同参数价格也稍高，这也是NMOS用的比PMOS多的原因。
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stm32为什么接usb也发烫？
如果是单片机在运行过程中有微热，那是正常的，因为系统在运行过程中，是利用电压与电流作为电学信号进行指令计算的，部分电流转化为热能是正常的能量耗散。 但是如果发热过多，可能导致的原因及检测手段如下：
1）测一下电流，看是否在正常范围内，MCU输出带载较重时会发热，检查电路中MCU的负载是否都是符合设计意图的；
2）PCB第一次上电尽量使用稳压电源，可随时监控整机电流，电源提供的过流保护增加一道保护；
3）如果助焊剂不好，有杂质导致PCB阻抗过低，电源和地引脚间像LED一样发光，也会发热。
到此，以上就是小编对于stm32 电流的问题就介绍到这了，希望介绍关于stm32 电流的3点解答对大家有用。
