MOS管是什么？
mos管是金属（metal）—氧化物（oxid）—半导（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。
mos管损坏的原因？
mos管损坏原因是：体二极管故障
在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。在不同的拓扑和电路中，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，体二极管的速度也是影响MOS管可靠性的一个重要因素。
由于二极管本身是寄生参数，因此很难区分漏源体二极管故障和漏源电压故障。二极管故障的解决方案主要是通过结合自身电路来分析。
MOS管损坏主要原因：
过流：持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁;
过压：源漏过压击穿、源栅极过压击穿;
静电：静电击穿，CMOS电路都怕静电。
第一种：雪崩破坏，如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同)，并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
第二种：器件发热损坏，由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
第三种：内置二极管破坏，在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。
第四种：由寄生振荡导致的破坏，此破坏方式在并联时尤其容易发生。在并联功率MOS FET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极-源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(Crss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。
第五种：栅极电涌、静电破坏，主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏。
